Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 1
Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А., Под общей ред. чл.-корр. РАН проф. Чаплыгина Ю.А.
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микро-электроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.;Гриф:Рекомендовано Учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210104 (200100) «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
साल:
2015
संस्करण:
3
प्रकाशन:
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
भाषा:
russian
पृष्ठ:
400
ISBN 10:
5996329042
ISBN 13:
9785996329045
श्रृंखला:
Электроника
फ़ाइल:
PDF, 3.53 MB
IPFS:
,
russian, 2015